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浅谈RCD电路的影响

上篇博文主要阐发未进行保护的反激电源开关历程阐发,这回主要先容RCD电路的影响。

先阐发历程:

对应电路模型:

我们可以定性的阐发一下电路参数的选择对电路的暂态相应的影响:

1.RCD电容C偏大年夜

电容端电压上升很慢,是以导致mos 管电压上升较慢,导致mos管关断至次级导通的距离光阴过长,变压器能量通报历程较慢,相称一部分低级励磁电感能量耗损在RC电路上 。

波形阐发为:

2.RCD电容C分外大年夜(导致电压无法上升至次级反射电压)

电容电压很小,电压峰值小于次级的反射电压,是以次级不能导通,导致低级能量整个耗损在RCD电路中的电阻上,是以次级电压下降后杀青新的平衡,理论谋略无效了,输出电压低落。

3.RCD电阻电容乘积R×C偏小

电压上冲后,电容上储存的能量很小,是以电压很快下降至次级反射电压,电阻将耗损低级励磁电感能量,直至mos管开通后,电阻才迟钝开释电容能量,因为RC较小,是以可能呈现震惊,就像没有加RCD电路一样。

4.RCD电阻电容乘积R×C合理,C偏小

假如参数选择合理,mos管开通前,电容上的电压靠近次级反射电压,此时电容能量泄放完毕,毛病是此时电压尖峰对照高,电容和mos管应力都很大年夜

5.RCD电阻电容乘积R×C合理,R,C都相宜

在上面的环境下,加大年夜电容,可以低落电压峰值,调节电阻后,使mos管开通之前,电容始终在开释能量,与上面的最大年夜不合,照样在于让电容始终存有必然的能量。

以上均为定性阐发,实际谋略照样零丁探究后收拾,必要做仿真验证。

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